Nuotolinė GaN epitaksija per grafeną ant GaN/safyro padėklų MOVPE metodu
Informacija apie disertacijos gynimą
- Doktorantas:
- KAZIMIERAS BADOKAS
- Skelbianti institucija:
- Vilniaus universitetas
- Parengta institucijoje:
- Vilniaus universitetas
- Gynimo data ir laikas:
- 2022-09-21 14:00
- Gynimo vieta:
- Nacionalinio fizinių ir technologijos mokslų centro posėdžių salė D401 (Saulėtekio al. 3, Vilnius).
- Disertacijos pavadinimas:
- Nuotolinė GaN epitaksija per grafeną ant GaN/safyro padėklų MOVPE metodu
- Mokslo, meno kryptis:
- (T 008) Medžiagų inžinerija (buv. 08 T)
- Vadovas:
- dr. Tadas Malinauskas (Vilniaus universitetas, technologijos mokslai, medžiagų inžinerija – T 008).
Disertacijos gynimo taryba
Pirmininkas: prof. habil. dr. Sigitas Tamulevičius (Kauno technologijos universitetas, technologijos mokslai, medžiagų inžinerija – T 008),
dr. Renata Butkutė (Fizinių ir technologijos mokslų centras, technologijos mokslai, medžiagų inžinerija, medžiagų inžinerija – T 008),
dr. Irmantas Kašalynas (Fizinių ir technologijos mokslų centras, gamtos mokslai, fizika – N 002),
dr. Šarūnas Meškinis (Kauno technologijos universitetas, technologijos mokslai, medžiagų inžinerija – T 008),
dr. Pawel Prystawko (Lenkijos mokslų akademijos Aukštų slėgių fizikos institutas, gamtos mokslai, fizika – N 002).
- Su disertacija galima susipažinti:
- Vilniaus universiteto, Fizinių ir technologijos mokslo centro bibliotekose ir VU interneto svetainėje adresu: https://www.vu.lt/naujienos/ivykiu-kalendorius
- Su disertacija galima susipažinti adresu:
- https://is.vu.lt/pls/pub/ivykiai.ivykiai_prd?p_name=0305EED88977D2CC4D6F064F1615EEAC/BADOKAS%20Kazimieras.pdf
- Skelbimą pateikė:
- Vida Dubonienė, (5) 2687095; 865556705, vida.duboniene@cr.vu.lt
- Pateikimo data:
- 2022-08-10
- Doktorantūros baigimo data:
- 2022-09-30
Anotacija
Nuotolinė epitaksija – naujas kristalų auginimo metodas, pagrįstas sluoksnių formavimu ant 2D medžiaga, pavyzdžiui, grafenu, padengtų padėklų. Nuotolinės epitaksijos pritaikymas pramonėje leistų sumažinti prietaisų gamybos kaštus, taupyti epitaksijai skirtus padėklus ir praplėsti puslaidininkių sluoksnių taikymo galimybes. Šio darbo tikslas yra pademonstruoti GaN nuotolinę epitaksiją metalorganinio nusodinimo iš garų fazės metodu ant šlapiuoju būdu perkeltu grafenu padengtų GaN/safyras ruošinių. Disertacijoje aprašomi skirtingi grafeno perkėlimo būdai, jų įtaka grafeno kokybei. Dėmesys skiriamas galio nitrido auginimo proceso parametrų optimizavimui. Pademonstruotas nuotolinės epitaksijos būdu užaugintos GaN membranos nukėlimas nuo padėklo. Tikimąsi, kad šiame darbe pateiktos įžvalgos ir atradimai prisidės prie tolesnio nuotolinės epitaksijos technologijos vystymosi.